Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

физические:

Читайте также:  Расчет преобразователя на mc34063

• принцип действия – биполярный;
• корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
• материал – кремний (Si);
• npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

• UКБ макс. (VCBmax) от 20 до 50 В (V);
• UКЭ макс. (VCEmax) от 20 до 45 В (V);
• UЭБ макс.(VЕВ max) не более 5 В (V);
• IK МАКС.(IC MAX) 100 мА (mA);
• IKИМП. МАКС.(IC MAX PULSE) 200 мА (mA);
• PK макс.(PC) 250 мВт (mW);
• Tперехода (Tj) ≤ + 150 °C.

При превышении рабочей температуры окружающей среды (Tокр.) более +25 °C максимально допустимая мощность рассчитывается по формуле PK макс = (150-Tокр °C)/ 0,4 °C, мВт.

основные электрические параметры:

• IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
• IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
• fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
• емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
• коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
• cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
• тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
• Токр от -40 до +85 °C.

При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах. Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.

По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.

Аналоги

Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для него является транзистор с PNP-проводимостью KT3107.

Маркировка

Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.

Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.

Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.

Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.

Читайте также:  Зачем нужна полиуретановая терка?

Основные электрические характеристики

ОбозначениеПараметрРежим изм.мин.макс.Ед. изм.

Iкбо	Обратный ток коллектора	Uкб=Uкб max, Iэ=0		15…50	нА
Iэбo	Обратный ток эмиттеpа	Uэб=5B			мкА
h21Е	Статический коэффициент передачи тока	Uкб= 5B, Iэ= 2мA f=50Гц	100	1000
Cк	Емкость коллекторного перехода	Uкб= 5B, f=10MГц		6	пФ
h21Е	Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	Uкб= 5B, Iэ=10мA f=100МГц
КТ3102АМ, БМ, ВМ, ГМ, ЖМ, ИМ, КМ		2
КТ3102ДМ, ЕМ		3
Кш	Коэффициент шума	Uкэ= 5В, Iк=0,2мА		4
	Постоянная времени цепи обратной связи	Uкб= 5B, Iэ=10мА,		100

Значения в таблице для температуры 25°C.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип

Структура

PК max, PК* т. max, мВт

fгр, МГц

UКБО max, UКЭR*max, В

UЭБО max, В

IК max, мА

IКБО, мкА

h21э, h21Э*

CК, пФ

rКЭ нас, Ом

rб, Ом

τк, пс

KT315A1

n-p-n

150

≥250

25

6

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Б1

n-p-n

150

≥250

20

6

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315В1

n-p-n

150

≥250

40

6

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Г1

n-p-n

150

≥250

35

6

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Д1

n-p-n

150

≥250

40

6

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Е1

n-p-n

150

≥250

35

6

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Ж1

n-p-n

100

≥250

15

6

100

≤0,5

30…250 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315И1

n-p-n

100

≥250

60

6

100

≤0,5

30 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Н1

n-p-n

150

≥250

20

6

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

–

–

–

KT315Р1

n-p-n

150

≥250

35

6

100

≤0,5

150…350 (10 В; 1 мА)

≤7

–

–

–

КТ315А

n-p-n

150 (250*)

≥250

25

6

100

≤0,5

30…120* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

КТ315Б

n-p-n

150 (250*)

≥250

20

6

100

≤0,5

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315В

n-p-n

150 (250*)

≥250

40

6

100

≤0,5

30…120* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315Г

n-p-n

150 (250*)

≥250

35

6

100

≤0,5

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315Д

n-p-n

150 (250*)

≥250

40* (10к)

6

100

≤0,6

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤30

≤40

≤1000

КТ315Е

n-p-n

150 (250*)

≥250

35* (10к)

6

100

≤0,6

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤30

≤40

≤1000

КТ315Ж

n-p-n

100

≥250

20* (10к)

6

50

≤0,6

30…250* (10 В; 1 мА)

≤7

≤25

–

≤800

КТ315И

n-p-n

100

≥250

60* (10к)

6

50

≤0,6

≥30* (10 В; 1 мА)

≤7

≤45

–

≤950

КТ315Н

n-p-n

150

≥250

35* (10к)

6

100

≤0,6

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤5,5

–

≤1000

КТ315Р

n-p-n

150

≥250

35* (10к)

6

100

≤0,5

150…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

–

≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

DataSheet

Цоколевка транзисторов КТ3102 (слева) и КТ3102М, КТ3102-2 (справа)

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n решительные высокочастотные маломощные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах высокой частоты, являются комплементарными транзисторами КТ3107А — КТ3107Л. Выпускаются в металлостеклянном или пластиковом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 0,5 г.Параметры транзисторов КТ3102 и КТ3102М

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ3102А	BF291, 2SC302, BCY56, BC407 *1 , BCW31R *1, 40637 *1
КТ3102Б	BCW72R *1, BCW32R *1
КТ3102В	2SC105, SE4022 *3, BFY18 *2, BFY17 *2, BSX76, 2SC55, ВС408 *1, ВС409 *1, 2SC238, 2SC1216 *2
КТ3102Г
КТ3102Д	2SC105, SE4022 *3, BFY18 *2, BFY17 *2, BSX76, 2 SC55, ВС408 *1, ВС409 *1, 2SC238, 2SC1216 *2
КТ3102Е
КТ3102Ж
КТ3102И
КТ3102К
КТ3102А(М)	ВС107АР, BC3I7 (ВС 182А), ВС317А, ТВС547, NTE2369, JC547, BCW71 *1, 2SC382TM *2, ECG2418, 2SC3653,2SC945L, 2SC3654, ВС550,2SC3655, ECG2359, 2SC3656, ВС549А
КТ3102Б(М)	ВС107ВР, ВСЗ18 (ВС 182В), 2SC945P, 2SC945Q, ТВС547А, JC547A, Читайте также:  Снегоуборочная машина своими руками с электродвигателем BCW72R *1, ВС317В, ВС317, ВС550В, ВС560 *2, ВС414, ВС414В
КТ3102В(М)	ВС108АР, 2SC1815 (ВС183В), ВС123 *2, ВС549В, BF254-4, 2SC4922GA *1, ТВС548А, ТВС548, JC548A, ITT9014CU, ITT9014C, 2SC388A-TM *2, 2SC1359, ВС409
КТ3102Г(М)	ВС108СР (BCY57)
КТ3102Д(М)	ВС184А, 2N2484 (ВС452, ВС547А), ВС123 *2, ВС549В, BF254-4, 2SC4922GA *1, ТВС548А, ТВС548, JC548A, ITT9014CU, ITT9014C, 2SC388A-TM *2, 2SC1359, ВС409
КТ3102Е(М)	ВС109СР, ВС547В (ВС538, ВС548В)
КТ3102Ж(М)	2N4123 (ВС183А, ВС549С)
КТ3102И(М)	BCY65 (2N4123)
КТ3102К(М)	ВС452 (2N4124, ВС548В)
Структура	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	—	—	250	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ3102А(М)	—	≥150	МГц
КТ3102Б(М)	—	≥150
КТ3102В(М)	—	≥150
КТ3102Г(М)	—	≥300
КТ3102Д(М)	—	≥150
КТ3102Е(М)	—	≥300
КТ3102Ж(М)	—	≥200
КТ3102И(М)	—	≥200
КТ3102К(М)	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ3102А(М)	—	50	В
КТ3102Б(М)	—	50
КТ3102В(М)	—	50(30)
КТ3102Г(М)	—	20
КТ3102Д(М)	—	30(50)
КТ3102Е(М)	—	20
КТ3102Ж(М)	—	50
КТ3102И(М)	—	50
КТ3102К(М)	—	30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ3102А(М)	—	5	В
КТ3102Б(М)	—	5
КТ3102В(М)	—	5
КТ3102Г(М)	—	5
КТ3102Д(М)	—	5
КТ3102Е(М)	—	5
КТ3102Ж(М)	—	5
КТ3102И(М)	—	5
КТ3102К(М)	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ3102А(М)	—	100(200*)	мА
КТ3102Б(М)	—	100(200*)
КТ3102В(М)	—	100(200*)
КТ3102Г(М)	—	100(200*)
КТ3102Д(М)	—	100(200*)
КТ3102Е(М)	—	100(200*)
КТ3102Ж(М)	—	100(200*)
КТ3102И(М)	—	100(200*)
КТ3102К(М)	—	100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ3102А(М)	50 В	≤0.05	мкА
КТ3102Б(М)	50 В	≤0.05
КТ3102В(М)	30 В	≤0.015
КТ3102Г(М)	20(30) В	≤0.015
КТ3102Д(М)	30 В	≤0.015
КТ3102Е(М)	20(30) В	≤0.015
КТ3102Ж(М)	50 В	≤0.05
КТ3102И(М)	50 В	≤0.05
КТ3102К(М)	30 В	≤0.015
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h*21Э	КТ3102А (М)	5 В; 2 мА	100…200
КТ3102Б(М)	5 В; 1(2) мА	200…500
КТ3102В(М)	5 В; 2 мА	200…500
КТ3102Г(М)	5 В; 2 мА	400…1000
КТ3102Д(М)	5 В; 2 мА	200…500
КТ3102Е(М)	5 В; 2 мА	400…1000
КТ3102Ж(М)	5 В; 2 мА	100…250
КТ3102И(М)	5 В; 2 мА	200…500
КТ3102К(М)	5 В; 2 мА	200…500
Емкость коллекторного перехода	cк, с*12э	КТ3102А(М)	5 В	≤6	пФ
КТ3102Б(М)	5 В	≤6
КТ3102В(М)	5 В	≤6
КТ3102Г(М)	5 В	≤6
КТ3102Д(М)	5 В	≤6
КТ3102Е(М)	5 В	≤6
КТ3102Ж(М)	5 В	≤6
КТ3102И(М)	5 В	≤6
КТ3102К(М)	5 В	≤6
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, r*БЭ нас	КТ3102А(М)	—	—	Ом
КТ3102Б(М)	—	—
КТ3102В(М)	—	—
КТ3102Г(М)	—	—
КТ3102Д(М)	—	—
КТ3102Е(М)	—	—
КТ3102Ж(М)	—	—
КТ3102И(М)	—	—
КТ3102К(М)	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, Pвых	КТ3102А(М)	1 кГц	≤10	Дб, Ом, Вт
КТ3102Б(М)	1 кГц	≤10
КТ3102В(М)	1 кГц	≤10
КТ3102Г(М)	1 кГц	≤10
КТ3102Д(М)	1 кГц	≤4
КТ3102Е(М)	1 кГц	≤4
КТ3102Ж(М)	—	—
КТ3102И(М)	—	—
КТ3102К(М)	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)	КТ3102А(М)	—	≤100	пс
КТ3102Б(М)	—	≤100
КТ3102В(М)	—	≤100
КТ3102Г(М)	—	≤100
КТ3102Д(М)	—	≤100
КТ3102Е(М)	—	≤100
КТ3102Ж(М)	—	≤100
КТ3102И(М)	—	≤100
КТ3102К(М)	—	≤100

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональна замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональна замена, тип корпуса отличается.

Входные характеристики	Зависимость напряжения насыщения от коэффициента насыщения
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера	Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Параметры транзистора КТ3102-2

Читайте также:  Тигельная печь, индукционная печь — особенности и характеристики промышленных печей.

Параметр	Обозначение	Условия	Значение	Ед. изм.
Структура	Маркировка	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	—	—	250	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ3102А2	—	≥200	МГц
КТ3102Б2	—	≥200
КТ3102В2	—	≥200
КТ3102Г2	—	≥200
КТ3102Д2	—	≥200
КТ3102Е2	—	≥300
КТ3102Ж2	—	≥200
КТ3102И2	—	≥200
КТ3102К2	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ3102А2	—	50	В
КТ3102Б2	—	50
КТ3102В2	—	30
КТ3102Г2	—	20
КТ3102Д2	—	30
КТ3102Е2	—	20
КТ3102Ж2	—	50
КТ3102И2	—	50
КТ3102К2	—	30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ3102А2	—	5	В
КТ3102Б2	—	5
КТ3102В2	—	5
КТ3102Г2	—	5
КТ3102Д2	—	5
КТ3102Е2	—	5
КТ3102Ж2	—	5
КТ3102И2	—	5
КТ3102К2	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ3102А2	—	200	мА
КТ3102Б2	—	200
КТ3102В2	—	200
КТ3102Г2	—	200
КТ3102Д2	—	200
КТ3102Е2	—	200
КТ3102Ж2	—	200
КТ3102И2	—	200
КТ3102К2	—	200
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ3102А2	—	—	мкА
КТ3102Б2	—	—
КТ3102В2	—	—
КТ3102Г2	—	—
КТ3102Д2	—	—
КТ3102Е2	—	—
КТ3102Ж2	—	—
КТ3102И2	—	—
КТ3102К2	—	—
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h*21Э	КТ3102А2	—	100…200
КТ3102Б2	—	200…500
КТ3102В2	—	200…500
КТ3102Г2	—	400…500
КТ3102Д2	—	200…500
КТ3102Е2	—	400…1000
КТ3102Ж2	—	100…250
КТ3102И2	—	200…500
КТ3102К2	—	200…500
Емкость коллекторного перехода	cк, с*12э	КТ3102А2	—	—	пФ
КТ3102Б2	—	—
КТ3102В2	—	—
КТ3102Г2	—	—
КТ3102Д2	—	—
КТ3102Е2	—	—
КТ3102Ж2	—	—
КТ3102И2	—	—
КТ3102К2	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, r*БЭ нас	КТ3102А2	—	—	Ом
КТ3102Б2	—	—
КТ3102В2	—	—
КТ3102Г2	—	—
КТ3102Д2	—	—
КТ3102Е2	—	—
КТ3102Ж2	—	—
КТ3102И2	—	—
КТ3102К2	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, Pвых	КТ3102А2	—	—	Дб, Ом, Вт
КТ3102Б2	—	—
КТ3102В2	—	—
КТ3102Г2	—	—
КТ3102Д2	—	—
КТ3102Е2	—	—
КТ3102Ж2	—	—
КТ3102И2	—	—
КТ3102К2	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)	КТ3102А2	—	—	пс
КТ3102Б2	—	—
КТ3102В2	—	—
КТ3102Г2	—	—
КТ3102Д2	—	—
КТ3102Е2	—	—
КТ3102Ж2	—	—
КТ3102И2	—	—
КТ3102К2	—	—

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Безопасность при эксплуатации

Не превышайте предельно допустимые эксплуатационные параметры при работе устройства в схемах. От высоких нагрузок устройство может перегреться и выйти из строя.

При пайке выводов не приближайте жало паяльника к корпусу ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна превышать +250 градусов, а время пайки каждого вывода не более 3 секунд. В некоторых схемах допускается включение транзистора в инверсном включении.

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

КТ817Г —
КТ817В — TIP31C
КТ817Б — TIP31B

КТ817А — TIP31A

Где они применяются

КТ315, аналоги (зарубежные и отечественные) использовались и сейчас используются радиолюбителями при создании усилителей высоких, средних и низких частот. Также они могут быть применены в генераторах, преобразователях сигналов и логических схемах. Если напрячь мозги, можно найти и другое применение, но это основное предназначение для КТ315. Параметры аналог (любой) имеет немного иные. Но главное, что это биполярные транзисторы, и их мощность важна исключительно для мощностей схем, которые будут собраны.

Применение

Когда то, этот транзистор применялся почти во всех советских магнитофонах с магнитной головкой в качестве усилителя сигнала. В настоящее время его продолжают использовать в тех случаях, когда уровень сигнала на входе очень маленький и его необходимо усилить до определённого уровня. В связи с тем, что h21E у данного транзистора довольно высок, а коэффициент шума достаточно низкий его применение в усилителях является хорошим вариантом. Вот пример самостоятельной сборки схемы для усилителя на кт3102.

Зарубежные аналоги КТ3102

Для замены KT 3102
существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.

Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.

Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора КТ3102БМ.

Информация из справочников производителей. Справочник содержания драгметаллов (золота, серебра, платины и МПГ) в транзисторе с указанием его веса которые используются (или использовались) при производстве в радиотехнике.

Транзистор (англ. transistor), полупроводниковый триод
— радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора — изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.

В полевых и биполярных транзисторах управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

А теперь давайте поговорим о полевых транзисторах. Что можно предположить уже по одному их названию? Во-первых, поскольку они транзисторы, то с их помощью можно как-то управлять выходным током. Во-вторых, у них предполагается наличие трех контактов. И в-третьих, в основе их работы лежит p-n переход. Что нам на это скажут официальные источники?

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, обычно с тремя выводами, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля.

Определение не только подтвердило наши предположения, но и продемонстрировало особенность полевых транзисторов — управление выходным током происходит посредством изменения приложенного электрического поля, т.е. напряжения. А вот у биполярных транзисторов, как мы помним, выходным током управляет входной ток базы.

Еще один факт о полевых транзисторах можно узнать, обратив внимание на их другое название — униполярные
. Это значит, что в процессе протекания тока у них участвует только один вид носителей заряда (или электроны, или дырки).

Три контакта полевых транзисторов называются исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители). Структура кажется простой и очень похожей на устройство биполярного транзистора. Но реализовать ее можно как минимум двумя способами. Поэтому различают полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.

Схема транзистора и схемы включения транзистора.

Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление по схемотехнике транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные схемы.

Транзисторные каскады, в зависимости от вариантов подключения транзисторов, подразделяются на:

1 Каскад с общим эмиттером (на схеме показан каскад с фиксированным током базы — это одна из разновидностей смещения транзистора).
2 Каскад с общим коллектором
3 Каскад с общей базой

Параметры транзисторов

UКБО — максимально допустимое напряжение коллектор — база;
UКБО и — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — база;
UКЭО — максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер;
UКЭО и — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -эмиттер;
UКЭН — напряжение насыщения коллектор — эмиттер;
UСИ max — максимально допустимое напряжение сток — исток;
UСИО — напряжение сток — исток при оборванном затворе;
UЗИ max — максимально допустимое напряжение затвор — исток;
UЗИ отс — Напряжение отсечки транзистора, при котором ток стока дости-гает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с р-n переходом, и с изолированным затвором);
UЗИ пор — Пороговое напряжение транзистора между затвором и стоком, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых тран-зисторов с изолированным затвором и п-каналом);
IK max — максимально допустимый постоянный ток коллектора;
IK max и — максимально допустимый импульсный ток коллектора;
IC max — максимально допустимый постоянный ток стока;
IC нач — начальный ток стока;
IC ост — остаточный ток стока;
IКБО — обратный ток коллектора;
РК max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;
РК max т — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;
РСИ max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток — исток;
H21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;
RСИ отк — сопротивление сток — исток в открытом состоянии;
S — крутизна характеристики;
fГР. — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
КШ — коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;

Схемы включения транзистора

Для включения в схему транзистор должен иметь четыре вывода — два входных и два выходных. Но транзисторы всех разновидностей имеют только три вывода. Для включения трёхвыводного прибора необходимо один из выводов объединить, и поскольку таких комбинаций может быть только три, то существуют три базовых схемы включения транзистора:
Схемы включения биполярного транзистора

с общим эмиттером (ОЭ) — осуществляет усиление как по току, так и по напряжению — наиболее часто применяемая схема;
с общим коллектором (ОК) — осуществляет усиление только по току — применяется для согласования высокоимпедансных источников сигнала с низкоомными сопротивлениями нагрузок;
с общей базой (ОБ) — усиление только по напряжению, в силу своих недостатков в однотранзисторных каскадах усиления применяется редко (в основном в усилителях СВЧ), обычно в составных схемах (например, каскодных).

Схемы включения полевого транзистора

Полевые транзисторы, как с p-n переходом (канальные), так и МОП (МДП) имеют следующие схемы включения:

с общим истоком (ОИ) — аналог ОЭ биполярного транзистора;
с общим стоком (ОС) — аналог ОК биполярного транзистора;
с общим затвором (ОЗ) — аналог ОБ биполярного транзистора.

Схемы с открытым коллектором (стоком)

«Открытым коллектором (стоком)» называют включение транзистора по схеме с общим эмиттером (истоком) в составе электронного модуля или микросхемы, когда коллекторный (стоковый) вывод не соединяется с другими элементами модуля (микросхемы), а непосредственно выводится наружу (на разъем модуля или вывод микросхемы). Выбор нагрузки транзистора и тока коллектора (стока) при этом оставляется за разработчиком конечной схемы, в составе которой применяются модуль или микросхема. В частности, нагрузка такого транзистора может быть подключена к источнику питания с более высоким или низким напряжением, чем напряжение питания модуля/микросхемы. Такой подход значительно расширяет рамки применимости модуля или микросхемы за счет небольшого усложнения конечной схемы. Транзисторы с открытым коллектором (стоком) применяются в логических элементах ТТЛ, микросхемах с мощными ключевыми выходными каскадами, преобразователях уровней, шинных формирователях (драйверах) и т. п.

Реже применяется обратное включение — с открытым эмиттером (истоком). Оно также позволяет выбирать нагрузку транзистора после изготовления основной схемы, подавать на эмиттер/сток напряжение полярности, противоположной напряжению питания основной схемы (например, отрицательное напряжение для схем с биполярными транзисторами n-p-n или N-канальными полевыми), и т.п.

Маркировка транзисторов — Цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Кодовая маркировка даты выпуска приборов

Год Кодированное обозначение
1983 R
1984 S
1985 Т
1986 U
1987 V
1988 W
1989 X
1990 A
1991 В
1992 С
1993 D
1994 E
1995 F
1996 H
1997 J
1998 K
1999 L
2000 N

Месяц Кодированное обозначение
Январь 1
Февраль 2
Март 3
Апрель 4
Май 5
Июнь 6
Июль 7
Август 8
Сентябрь 9
Октябрь 0
Ноябрь N
Декабрь D

Цветовая кодировка группы

Группа Цветная точка сверху
А Темно-красная
Б Желтая
В Темно-зеленая
Г Голубая
Д Синяя
Е Белая
Ж Темно-коричневая
И Серебристая
К Оранжевая
Л Светло-табачная
М Серая

Цоколевка транзисторов

При подборе аналогов деталей по схемам, всегда возникает вопрос правильного их монтажа на печатной плате. Цоколевка (распиновка) транзисторов. Вот сейчас хочу описать и выложить на одной странице цоколевки (распиновки) всех отечественных транзисторов, чтобы Вас вопрос расположения ножек транзисторов не вводило в заблуждение.

Транзисторы справочник — корпуса транзисторов

транзисторы справочник — корпуса транзисторов

Принцип работы Транзистора

В настоящее время находят применение транзисторы двух видов — биполяр­ные и полевые. Биполярные транзисторы появились первыми и получили наиболь­шее распространение. Поэтому обычно их называют просто транзисторами. Поле­вые транзисторы появились позже и пока используются реже биполярных.

Биполярными транзисторы называют потому, что электрический ток в них образуют электрические заряды положительной и отрицательной полярно­сти. Носители положительных зарядов принято называть дырками, отрицатель­ные заряды переносятся электронами. В биполярном транзисторе используют кри­сталл из германия или кремния — основных полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления транзисторов и диодов. Поэтому и транзисторы называют одни кремниевыми, другие — : германиевыми. Для обоих разновидно­стей биполярных транзисторов характерны свои особенности, которые обычно учитывают при проектировании устройств.

куплю транзисторы, транзистор цена

Если у вас есть больше информации о трансформаторе КТ3102БМ сообщите ее нам мы бесплатно разместим ее на сайте.

Фото транзистор КТ3102БМ:

Характеристики транзистор КТ3102БМ:

Купить или продать а также цены на транзистор КТ3102БМ (куплю транзисторы, транзистор цена):
Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже

Один из самых известных транзисторов — КТ315, аналог которого нескоро появился на просторах Советского Союза, и который был первым массовым советским транзистором. Он настолько универсален, что его продолжают использовать до сих пор (хоть и довольно ограниченно и по большей части радиолюбители). Предпосылкой к этому стала их универсальность, длительное время эксплуатации и наличие огромного опыта создания чего-то с их помощью (с которым можно ознакомиться в специальных источниках).

Таблица предельных значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Величина	Ед.изм.
Uкб max	Напряжение коллектор-база	20…50	В
Uкэ max	Напряжение коллектоp-эмиттеp (Rбэ=10кОм)	20…50	В
Uэб max	Напряжение эмиттер-база	5	В
Iк max	Постоянный ток коллектора	200	мА
Iк имп max	Импульсный ток коллектора (tu 500)	250	мА
Pк max	Рассеиваемая мощность коллектора	250	мВт
Tj	Температура перехода	125	°C

Детали

Каркасом для намотки катушки L1 служит резистор R2, именно поэтому на схеме он указан двухваттным, потому что нужны размеры для намотки катушки. Катушка L1 содержит 25-30 витков провода ПЭВ 0,35, намотанного на резистор R2, и концы этой катушки распаяны на выводы R2.

Катушка L2 — готовый дроссель на 5-15 миллигенри. Можно заменить и самодельным дросселем на такую индуктивность. Транзисторы КТ3102 можно заменить любыми аналогами. Светодиод НИ — любой индикаторный светодиод, например, АЛ307.

С эмиттера VТЗ можно подать напряжение для управления какой-то схемой, которая должна включаться при прикосновении к дверной ручке.

Перечень модификаций транзистора КТ3102

Транзистор имеет несколько видов. В обозначении на них указывает буква русского алфавита. Между собой они различаются различным диапазоном основных параметров. В первую очередь, это относится к коэффициенту усиления и допустимому напряжению на выводах элемента.

Группа	Uкб max, В	Uкэ max, В	h21Е	Iкбо, нА	Uкб, В	Кш, дБ
КТ3102АМ	50	50	100…250	50	50	10
КТ3102БМ	50	50	200…500	50	50	10
КТ3102ВМ	30	30	200…500	15	30	10
КТ3102ГМ	20	20	400…1000	15	20	10
КТ3102ДМ	30	40	200…500	15	30	4
КТ3102ЕМ	20	20	400…1000	15	20	4
КТ3102ЖМ	50	50	100…250	15	50	—
КТ3102ИМ	50	50	200…500	15	50	—
КТ3102КМ	20	50	200…500	50	30	—

Мощный низковольтный маяк

Для обозначения опасного участка, или неисправной машины, стоящей на дороге, в ночное время может быть весьма полезным световой маяк, питающийся от автомобильного аккумулятора. Схема маяка показана на рисунке 2. Выполнена она по схеме несимметричного мультивибратора, в котором одно из плеч сделано на мощном коммутаторном полевом транзисторе VT2 типа IRF530.

Схема включается последовательно лампе накаливания Н1, и питается через неё. Полевой транзистор VT2 в открытом состоянии имеет очень низкое сопротивление канала, поэтому напряжение питания схемы во время открытого состояния VT2 снижается почти до нулевого значения.

Чтобы поддерживать питание схемы во время горения лампы, когда полевой транзистор VT2 открыт, есть цепь из конденсатора С1 и диода VD1. Конденсатор С1, в то время, когда VT2 закрыт, через диод VD1 и лампу быстро заряжается, и во время открытого состояния VT2 схема питается напряжением, накопленном на С1, потому что диод VD1 препятствует разрядке этого конденсатора.

Рис. 2. Схема мощный низковольтного свето-маяка.

Частота мигания лампы зависит от емкости конденсатора С2. Лампа Н1 — стандартная автомобильная лампочка от фар. Можно использовать лампу мощностью до 65 W. При этом, нужно учесть что транзистору VT2 может потребоваться радиатор.

Кт3102 цоколевка и параметры

Ежедневная отправка заказов производится из г. При общей сумме заказа более рублей — доставка почтой России за счет магазина! После получения он-лайн оплаты, мы предоставим Вам электронный чек ОФД — который приравнен к обычному бумажному чеку и может быть использован Вами для любых целей — для отчета в бухгалтерии или разрешения спорных ситуаций, а после комплектации и отправки заказа как правило суток — предоставим ссылку для отслеживания местонахождения заказа на электронную почту и продублируем смс сообщением. Вы в любой момент можете узнать — где именно находится заказ!

Цветовая маркировка транзисторов КТ3102

Боковая точка всегда темно-зеленая и обозначает принадлежность транзистора к серии КТ3102. Точка сверху определяет букву в маркировке транзистора.

Цвет точки сбоку	Цвет точки сверху	Маркировка транзистора
Теммно-зеленый	Бордовый	КТ3102А
Теммно-зеленый	Желтый	КТ3102Б
Теммно-зеленый	Темно-зеленый	КТ3102В
Теммно-зеленый	Голубой	КТ3102Г
Теммно-зеленый	Синий	КТ3102Д
Теммно-зеленый	Белый	КТ3102Е
Теммно-зеленый	Темно-коричневый	КТ3102Ж
Теммно-зеленый	Серебристый	КТ3102И
Теммно-зеленый	Оранжевый	КТ3102К
Теммно-зеленый	Светло-табачный	КТ3102Л(И)
Теммно-зеленый	Серый	КТ3102М(К)

Транзистор КТ3102 является комплементарной парой транзистору КТ3107.

Аналоги КТ3102 — 2SA2785, BC174, BC182

КТ3102А — 2N4123 , 2SC1815O, 2SC945O, 2SC945R, BC107AP, BC107АP, BC182A, BC183A, BC237A, BC238A, BC317, BC547A, BC548A, BC550A, BCY59-VII, BCY65-VII, MPS3709, SS9014A, КТ3102АМ, КТ6111А

КТ3102АМ — BC547A, КТ3102А

КТ3102Б — 2N2483 , 2N5210, 2SC1000GTM, 2SC1815, 2SC1815BL, 2SC1815GR, 2SC1815L, 2SC1815Y, 2SC828A, 2SC945G, 2SC945L, 2SC945Y, BC107BP, BC182B, BC182C, BC183B, BC183C, BC184A, BC237B, BC237C, BC318, BC337, BC382B, BC452, BC546B, BC547B, BC547C, BC550B, BC550C, BCY56, BCY59-IX, BCY59-VIII, BCY65-IX, BCY65-VII, BCY79, MPSA09, PN1484, SF132E, SS9014B, SS9014C, SS9014D, КТ3102БМ, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3117Б, КТ6111Б, КТ6111В, КТ6111Г, КТ660А

КТ3102БМ — BC547B , КТ3102Б

КТ3102В — 2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, 2SC828, BC108AP, BC108BP, BC238, BC238A, BC238B, BC238C, BC451, BC548A, BC548B, BC548C, BC549A, BC549B, BC549C, MPS3708, MPS3710, SF131E

КТ3102ВМ — BC548B

КТ3102Г — 2SC538, 2SC900, 2SC923, BC108CP, BC183C, BC238C, BC382C, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, SF131F, SF132F

КТ3102Д — 2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, 2SC945, BC109BP, BC184A, BC239B, BC239C, BC383B, BC384B, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-X, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, PN1484

КТ3102ДМ — BC549C

КТ3102Е — 2N5088, 2N5089, 2N5210, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BC549C, BCY57, BFX65, MPS6516, MPS6517

Источник

Транзистор КТ3102А

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов. Нужно заменить диод или стабилитрон? Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors. Информация по транзистору была найдена на сайте www. Используется в переключающих устройствах, где нужно высокое быстродействие. Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE

В 90 годах на замену КТ был разработан транзистор КТ с улучшенными параметрами. Комплементарной парой ему есть.